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ASML稱中國早已研發國產光刻機:中科院成功研發DUV光源技術 能生產3nm

本站6月7日消息,據國外媒體報道稱,近日ASML CEO接受媒體采訪時表示,中國早已研發國產光刻設備。

在這位CEO看來,盡管中國在趕超ASML的技術方面還有很長的路要走,但美國出臺的打壓措施只會適得其反,讓中國“更努力取得成功”。他還稱,與其打壓中國等競爭對手,不如將注意力放在創新上。

“中國已經開始研發一些國產光刻設備,盡管中國在趕超ASML的技術方面還有很長的路要走,但你試圖阻止的人會更加努力地取得成功。”

在這之前,中國科學院成功研發除了突破性的固態DUV(深紫外)激光,可發射193nm的相干光,與目前主流的DUV曝光波長一致,能將半導體工藝推進至3nm。

中國科學院的這種技術最終獲得的激光平均功率為70mW,頻率為6kHz,線寬低于880MHz,半峰全寬(FWHM)小于0.11pm(皮米,千分之一納米),光譜純度與現有商用準分子激光系統相當。

基于此,甚至可用于3nm的工藝節點。

這種設計可以大幅降低光刻系統的復雜度、體積,減少對于稀有氣體的依賴,并大大降低能耗。

相關技術已經在國際光電工程學會(SPIE)的官網上公布。這種全固態DUV光源技術雖然在光譜純度上已經和商用標準相差無幾,但是輸出功率、頻率都還低得多。

對比ASML的技術,頻率贏達到了約2/3,但輸出功率只有0.7%的水平,因此仍然需要繼續迭代、提升才能落地。

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