本站5月15日消息，據媒體報道，蘋果正在為20周年iPhone研發多項創新技術，其中HBM內存被視為關鍵發展方向之一。
據悉，HMB全稱是High Bandwidth Memory，中文名為“高帶寬內存”，這是一種全新的基于3D堆棧技術的高性能DRAM。
它能提高數據吞吐量，同時降低功耗并縮小內存芯片體積，目前主要應用于AI服務器，蘋果希望通過將移動HBM與iPhone的GPU單元連接來增強設備端AI能力，這項技術對于端側AI大模型至關重要，可避免電量過快耗盡，還能降低延遲。
具體來說，HBM采用TSV工藝進行3D堆疊，有效提升帶寬，實現更高的集成度，通過與處理器相同的“Interposer”中間介質層與計算芯片實現緊湊連接，一方面既節省了芯片面積，另一方面又顯著減少了數據傳輸時間。
報道稱蘋果已與三星電子和SK海力士等主要內存供應商討論該計劃，三星正在開發名為VCS的封裝方案，而SK海力士則采用VFO技術，兩家公司都計劃在2026年后量產。
不過移動HBM面臨諸多挑戰，一是制造成本遠高于現有的LPDDR內存，二是iPhone是一款輕薄設備，散熱是一項重要挑戰；三是3D堆疊和TSV工藝采用高度復雜的封裝工藝，良率也是一大挑戰。
若蘋果在2027年iPhone產品線中采用這項技術，這將成為20周年紀念機型的又一創新之舉，傳聞這款里程碑產品還將配備完全無邊框的顯示屏，展現蘋果在智能手機領域持續突破的決心。
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