本站5月30日消息，大家都知道，當下先進工藝（尤其是7nm以下），基本都依賴ASML的EUV極紫外光刻機。
按照傳統認知，沒有EUV就造不出先進工藝，那有沒有其他辦法呢。
前段時間，世界上就有一種“特殊”5nm的消息傳出，它是怎么來的呢？
有報道稱，這種5nm采用了完全不一樣的技術路線，避開了EUV光刻機的依賴，采用一種步進掃描光刻機，通過多重曝光實現5nm線寬。
光刻機是整個芯片制造過程中最為核心的設備，主要功能是將掩模上的電路圖案通過光學系統投射到涂有光刻膠的硅片上，在光刻膠上形成精細的圖案，就像 “畫工” 在硅片上繪制電路圖，芯片的制程由光刻機決定。
另外，刻蝕機采用某5nm刻蝕設備，精度達到原子級，號稱刻蝕速率比以往水平提升15%。
在光刻完成后登場，刻蝕機的主要作用是按照光刻機標注好的圖案，通過化學或物理作用，將硅片上多余的部分，如未被光刻膠保護的材料腐蝕掉，留下需要的部分，以形成半導體器件和連接的圖案，類似于 “雕工”。
不僅如此，量測設備也采用了新的電子束量測系統，實現nm級缺陷檢測的替代。
也就是說，這種“另辟蹊徑”的方法，帶動了半導體設備、材料、設計工具等全產業鏈發展。
說不定，未來這種辦法，也能造出3nm，大家不妨拭目以待。
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